本发明提供了一种无机物与聚噻吩衍生物纳米复合N-P型
半导体材料及其制备方法。该材料由聚噻吩衍生物和无机
纳米材料复合组成,其中聚噻吩衍生物与无机纳米材料的摩尔比为10-0.1∶1。本发明通过超声分散法将聚噻吩衍生物与纳米无机材料进行了有效的复合,使纳米无机材料分散到聚噻吩衍生物分子间隙中,被这些分子包裹,彼此之间发生作用。
复合材料的紫外可见吸收峰发生了明显的红移,发光范围覆盖整个紫外和可见吸收区,吸发光性能得到很大的改善。而且复合材料克服了N型和P型的缺点,使其在整个扫描电压区间内的导电性能都有大幅度改善,显示出P-N结的优越性能。该复合材料有望在光电器件以及
太阳能电池得到实际应用。
声明：
“无机纳米材料与聚噻吩衍生物的复合材料及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
730
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
