本发明涉及一种净尺寸C/SiC陶瓷基
复合材料的制备方法。所述制备方法包括：(1)提供碳/碳基体；(2)对所述碳/碳基体进行超声干燥洁净处理，并将ZrC‑ZrB
2喷涂剂喷涂于所述碳/碳基体表面，得到多孔碳/碳复合材料；(3)以硅合金为反应物，采用反应熔渗法将所述多孔碳/碳复合材料制成净尺寸C/SiC陶瓷基复合材料。该制备方法通过利用ZrC、ZrB
2与硅的热膨胀系数相差较大的特点，使得在材料表面残留堆积的硅呈现疏松多孔结构，借助于简单打磨，可获得净尺寸成型的C/SiC陶瓷基复合材料，从而减少后续机械加工，有效降低成本，解决了传统反应熔渗法制备C/SiC陶瓷基复合材料表面残留合金较多的问题。
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来源：北方有色网
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