本发明涉及一种SiC/SiC
复合材料高致密多层基体及制备方法，将配置好的SiC颗粒(SiCp)浆料通过真空浸渍和压力浸渍的方法，引入到多孔SiC/SiC复合材料中，然后采用CVI法在多孔SiC/SiC复合材料中制备一定含量的热解碳，使其均匀包裹SiC颗粒，最后采用RMI法通过热解碳与熔融硅的反应完成SiC/SiC复合材料的致密化。不同粒径SiC颗粒的依次引入，形成分层结构，对后续制备PyC和SiC基体产生遗传效应，获得了均匀高体积分数的SiC基体相，增加了复合材料致密度，增加了裂纹扩展的能量，有效提高了复合材料力学性能。该方法制备的复合材料具有高体积分数均匀分布的SiC基体相，高的力学性能和低的开气孔率，解决了目前RMI工艺方法制备SiC/SiC基体中SiC相含量低分布不均匀和强韧性不足的问题。
声明：
“SiC/SiC复合材料高致密多层基体及制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1047
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
