本申请属于光电技术领域，尤其涉及一种p‑i‑n结构
钙钛矿基X光探测器及其制备方法。其中，p‑i‑n结构钙钛矿基X光探测器，包括依次叠层贴合设置的p型功能层、钙钛矿活性层和n型功能层，其中，所述钙钛矿活性层包含化学通式为APbZ3的卤化物钙钛矿，其中，A包括碱金属离子或者有机铵离子，Z包括至少一种卤素。本申请提供的p‑i‑n结构钙钛矿基X光探测器，通过p型功能层、钙钛矿活性层和n型功能层的协同作用，可有效抑制器件暗电流，暗电流密度≤1nA/cm2，并且使钙钛矿基X光探测器具有较高的检测灵敏度。
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“p-i-n结构钙钛矿基X光探测器及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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