本发明公开了一种在
氧化铝基片表面直接生长碳纳米螺旋或碳纳米球的方法。本发明以乙炔作为碳源，利用高温裂解的方法，通过调控反应温度，实现了在无过渡族金属的催化作用下，在氧化铝基片上可控地合成出高选择性的碳纳米螺旋或碳纳米球，很好地解决了以往由于过渡族金属催化剂的存在而带来的该种
功能材料在电子学领域研究的工艺技术难题，并大大地简化了实验过程和成本。为了该种材料的电子学领域研究和产品开发奠定了坚实的实验基础。本表明具有很好的重复性、操作简单且环境友好，拓宽了该类型在纳米器件领域的研究和潜在性的应用。本发明方法简单，使用效果好。
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“在氧化铝基片表面直接生长碳纳米螺旋或碳纳米球的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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