本发明提供了一种CuI晶体的生长方法，属于光电
功能材料技术中的晶体生长领域。该方法使用NH4Cl、NH4Br、NH4I等为助溶剂，
铜片作为还原剂，生长温区70-40℃，采用水溶液温差法生长晶体。本发明采用的温差法生长技术具有生长设备简单、成本低廉、生长温度低以及晶体生长不受溶解度限制等优点，所生长的CuI晶体纯度高、均匀性好、尺寸较大，因此作为新一代的超快闪烁晶体，有望在未来超高计数率电子、γ射线和X射线测量中发挥重要作用，同时还作为一种
半导体材料用作太阳能
电池材料、超导材料和光催化材料。
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“高质量CuI晶体的生长方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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