本发明公开了一种忆阻器及其制备方法，所述忆阻器包括自下而上依次设置的基底、底电极层、
功能材料层、顶电极层以及顶电极保护层，其特征在于，所述功能材料层和顶电极层之间设置有阻挡层，所述阻挡层由Nb2C覆盖在MAPbI3层上表面制备而成。本发明引入阻挡层制备形成的忆阻器，且配置有顶电极保护层，具有稳定性好、导电性佳的特点，具有广阔的应用前景，同时本发明的制备方法简便高效，成本较低，适合在产业上广泛应用。
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来源：北方有色网
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