一种PVT法氮化
铝晶体生长用坩埚材料的制备方法，它属于晶体生长技术领域。本发明要解决的技术问题为氮化铝晶体生长用坩埚材料的使用寿命短的问题。本发明称量一定质量的碳化钽粉、钨粉、
氧化钇粉加入三维振动混合器中，混合均匀后得到的混合粉体加入聚氯乙烯坩埚模具，通过冷等静压，压制成型，置于热压烧结炉内抽真空后，在20～30MPa的压力下，进行烧结处理，得到烧结后的坩埚材料用车床或线切割进行加工成型，然后置于真空烧结炉内，抽真空后，进行烧结处理，得到所述的一种PVT法氮化铝晶体生长用坩埚材料。本发明生长用坩埚材料晶体缺陷密度降低，消除高温下TaC晶粒的异常长大现象，增加了坩埚使用寿命。
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来源：北方有色网
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