本发明提供了一种反应烧结
碳化硅陶瓷内部缺陷的制备方法，包括以下步骤：制备两块形状大小相同、表面平整的碳化硅素坯；在其中一块多孔碳化硅素坯表面按照设计缺陷的位置涂抹惰性无机物，使涂抹惰性无机物后的成形区域与设计缺陷的形状、大小保持一致；在预制缺陷的多孔碳化硅素坯的表面其余位置涂抹有机粘结剂，使其表面再次平整，之后与另一块所述多孔碳化硅素坯对接贴合，确保贴合时两者之间无空隙，再用重物压实一段时间；对压实后的贴合素坯置于真空烧结炉中添加足量硅进行反应烧结，之后表面清理去除残硅。本发明的反应烧结碳化硅陶瓷内部缺陷的制备方法，能准确制备出各种形状的设计缺陷，并且不引入其他杂质、不产生新的缺陷。
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“反应烧结碳化硅陶瓷内部缺陷的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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