气相沉积炉简介
热诱导化学气相沉积 (英语:chemical vapor deposition,CVD)是用于各种电介质,半导体和金属材料的保护涂层的沉积的有力方式，无论是单晶，多晶，无定形或外延状态上或大或小的形态。典型的涂层材料包括热解碳，
碳化硅，氮化硼。通过使用合成前体，涂层非常纯净并目满足半导体工业的典型要求，根据工艺参数，可以有多种层厚度，从单个或几个原子层到厚度从10纳米到数百微米的固体保护层或功能层，以及厚度达100微米的单片部件，甚至高达数米。
热诱导的化学气相渗透(英语:chemical vaporinfiltration,Cv)是一个与CVD有关的技术，以在基体材料渗入多孔或纤维预成型件以制备由
复合材料制成的部件具有改善的机械性能，耐腐蚀性，耐热冲击性和低残余应力。
技术特点:
采用立式、底/顶开门结构:装、卸料精度高，操作方便;
采用先进的控制技术，能精密控制MTS的流量和压力，炉膛内沉积气流稳定，压力波动范围小;温度均匀性好:平均温度均匀性为+5'C:
采用多通道沉积气路，流场均匀，无沉积死角，沉积效果好:全封闭沉积室，密封效果好，抗污染能力强;安全性能好:采用HMI+PLC+PID程序控温制，安全可靠:对沉积产生的高腐蚀性尾气、易燃易爆气体、固体粉尘及低熔点粘性产物能进行有效处理;多级高效尾气处理系统，环境友好，能高效收集焦油及副产物，易清理;采用设计防腐蚀真空机组，持续工作时间长，维修率极低。
设备规格:
产品应用
化学气相沉积炉(碳化硅)可用于以
硅烷为气源的材料表面抗氧化涂层、基体改性等。立式化学气相沉积炉(沉积炭)可用于以碳氢气体(如C3H8、CH4等)为碳源的材料表面或基体等温CVD/CVI处理。卧式化学气相沉积炉(SiC、BN)可用于材料的表面涂层、基体改性、复合材料制备等外延片基座、晶体炉高温耐材、热弯模具、半导体坩埚、陶瓷基复合材料等。
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