本发明涉及一种多层
铜互连布线结构的检测方法，包括如下步骤：采用开封方法获取多层铜互连布线结构的裸
芯片；清除所述裸芯片表面的残留物；采用反应离子蚀刻法去除所述裸芯片表面的保护膜；采用热熔蜡将去除保护膜后的芯片固定于研磨抛光夹具；根据失效分析的结果，对所述芯片的缺陷区域进行平行抛光剥层操作；利用显微观察监测平行抛光进度直至达到目标层。本发明的多层铜互连布线结构的检测方法，可实现芯片中多层铜互连布线结构的逐层去除，实现密集多层铜互连布线结构中各层次形貌的平面观察，对多层铜互连布线结构芯片的失效机理确认、提高集成电路的使用可靠性有重要的意义。
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“多层铜互连布线结构的检测方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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