本发明涉及一种检测氧化堆垛层错的方法，所属硅片检测技术领域，包括先对硅片进行退火处理，硅片的氧化退火在氧化退火炉上进行，将硅片置于
碳化硅舟上，在750℃下碳化硅舟进入，在1100℃温度下，通入氧气和氢气合成的高温水汽。经过一小时化学反应后，降温碳化硅舟推出，冷却至室温后取下硅片。将硅片使用X射线形貌术进行氧化堆垛层错测试。硅片退火后，使用X射线形貌术测量得到的形貌图中若显示实心圆状或环状深灰色阴影，即代表此处有氧化堆垛层错存在。具有稳定性好、无损伤和无污染的特点。解决了择优腐蚀液含有重金属铬对环境和人体有害的问题。
声明：
“检测氧化堆垛层错的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1204
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
