本发明涉及一种锑‑铈修饰二硫化钼/氧化铟气敏材料及其制备方法，属于传感器气敏材料制备领域。所述气敏材料由锑元素、铈元素、二硫化钼、氧化铟构成，氧化铟颗粒附着在二硫化钼片层表面构成MoS2/In2O3纳米复合体，锑和铈原子位于MoS2/In2O3纳米复合体的晶格内；所述制备所述包括（1）水热法合成MoS2/In2O3纳米
复合材料；（2）在保护气氛下，将锑源、铈源与MoS2/In2O3纳米复合材料水热反应、离心、干燥、煅烧，即得。本发明通过锑、铈的引入有效降低了被测气体的化学吸附的活化能，大大提高了氧化铟半导体气敏材料的比表面积和导电性，增强了气体分子与材料间的电荷转移，得到了具有优异的气敏材料。
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“锑-铈修饰的二硫化钼/氧化铟四元气敏材料及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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