本发明提供一种研磨垫及使用了该研磨垫的半 导体器件的制造方法。即使在使用碱性料浆或酸性料浆进行研 磨的情况下，也可以在从使用开始直至使用结束的长时间内持 续维持高精度的光学终点检测。本发明的研磨垫被用于化学机 械抛光中，具有研磨区域及透光区域，所述透光区域的浸渍于 pH11的KOH水溶液或pH4的 H2O2水溶液中24小时后的测定波长λ下的透光率 T1 (％)与浸渍前的测定波长λ 下的透光率T0 (％)的差ΔT(ΔT ＝T0－ T1)(％)，在测定波长400～ 700nm的全部范围内在10(％)以内。
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来源：北方有色网
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