本发明公开了一种准单晶硅片微缺陷的检测方法，包括如下步骤：(1)手动机械抛光：将待腐蚀的准单晶硅片进行手动机械抛光，并用去离子水冲洗；(2)化学腐蚀抛光：将机械抛光清洗后硅片进行化学腐蚀抛光，用去离子水进行冲淋；(3)微缺陷的择优腐蚀：将化学腐蚀抛光后硅片进行微缺陷的择优腐蚀，用去离子水进行冲淋，烘箱内干燥；(4)微缺陷观察方法：将腐蚀后硅片进行少数载流子寿命和铁-硼对面扫描；结合金相显微镜观察少数载流子寿命扫描颜色分布，对缺陷部位进行精确定位，按缺陷类型进行分类，定位将硅片切割成小片，做好标记；有益效果：本发明的测试方法快速准确，节能环保，无污染，实用性强。
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来源：北方有色网
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