本发明涉及一种孔结构化学机械研磨方法及半导体器件的制造方法，所述孔结构化学机械研磨方法包括：获取形成有孔结构的半导体结构，所述半导体结构上形成有孔填充金属，所述半导体结构包括所述孔填充金属下的阻挡层和所述阻挡层下的氧化层，所述孔填充金属填入所述孔结构中；对所述孔填充金属进行第一化学机械研磨，以终止点监测的方式设定第一信号窗口，将研磨终止点设定在所述孔填充金属与所述阻挡层的过渡界面；在所述第一化学机械研磨之后进行第二化学机械研磨，去除所述阻挡层，以终止点监测的方式设定第二信号窗口，将研磨终止点设定在所述阻挡层与所述氧化层的过渡界面。本发明能够降低第一电介质层的厚度和均匀性受外界因素影响的波动。
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“孔结构化学机械研磨方法及半导体器件的制造方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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