本发明提供了一种化学腐蚀硅通孔面过电镀
铜层的装置及方法，所述装置包括：在铜腐蚀槽内设有一测距传感器用于测量槽内液位，铜腐蚀槽的底部设有腐蚀液的进口和出口，分别安装进口阀门和出口阀门；还包括用于把持晶圆片的机械臂杆，用于将TSV电镀后的晶圆片表面浸入铜腐蚀槽内的腐蚀液中；所述测距传感器、进口阀门、出口阀门和机械臂杆的控制器均连接到总的控制器或计算机。本发明的优点是：本发明基于化学腐蚀铜和CMP工艺结合去除表面过厚铜层的思想，设计了一种化学湿法刻蚀铜的简易装置。可有效解决TSV过电镀的问题，采用先湿法腐蚀铜的方法，除去多数铜，为CMP铜工艺减轻负担，降低成本。
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来源：北方有色网
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