本发明公开了一种GaN基光化学离子传感器及其制备方法，其制备方法包括：1)Si衬底上依次生长n型GaN缓冲层和n型GaN层；2)n型GaN层上生长本征掺杂GaN层；3)本征掺杂GaN层上生长p型GaN层；4)选择性刻蚀外延层材料形成刻蚀台面，在刻蚀台面外侧及侧壁上沉积Al
2O
3层；5)在Al
2O
3层外侧淀积暴露在待测环境中的探测区域，用于将金属离子浓度转换为电信号，所述探测区域为TiO
2层；6)利用光刻、金属蒸镀技术，淀积上金属电极和下金属电极。本发明的优势是利用TiO
2光化学效应，通过光激发TiO
2产生的电子‑空穴对，使TiO
2表面吸附的金属离子发生离子置换效应，从而引起GaN材料的载流子浓度以及电信号发生变化。
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来源：北方有色网
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