本发明涉及一种电阻可控的
碳化硅陶瓷及其制备方法，属导电陶瓷材料领域。电阻可控碳化硅陶瓷原料包括：SiC粉、B
4C粉、钛源、碳源、TiB
2粉，质量比为(40‑80):(8‑30):(20‑70):(15‑60):(25‑55)；本发明还提供了其制备方法，包括配料、过筛造粒、模压成型、干燥、烧结；本发明在SiC原料中直接或间接引入TiB
2高导电陶瓷成分，使制得的SiC复合陶瓷材料具有电阻可控、抗氧化、硬度高、耐磨损、高热传导率、低热膨胀系数、抗蠕变等性能，在电子信息穿戴产品、工业废水电催化氧化处理、燃料电池电极、高铁受电弓等领域具有非常大的实用前景。本发明具有工艺简单、设备要求度低、生产成本低、便于批量化生产的优点。
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“电阻可控碳化硅陶瓷的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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