本发明公开一种纳米球包围的MoS2微米空心球结构
半导体材料，包括MoS2微米级大球和MoS2纳米级小球，纳米小球均匀分散地生长在微米大球表面；其中，所述的MoS2微米大球是空心的薄球壳，纳米小球则是洋葱状结构，由一层层的球壳嵌套而成，中心小部分是空心的。本发明还公开了纳米球包围的MoS2微米空心球结构半导体材料的制备方法，仅用一步水热法制备出两种直径的MoS2球状结构。本发明制备方法具有操作简单，产物杂质少，制备成本低等优点。本发明材料在光催化工业废水和场发射领域有极大发展潜力。
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“纳米球包围的MoS2微米空心球结构半导体材料及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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