本发明公开了一种缺陷定位方法、装置及存储介质，其属于
锂电池制备技术领域，缺陷定位方法具体为先根据缺陷识别记录确定缺陷位置与第一预设位置在极片长度方向上的第一缺陷距离；测量极片的厚度及卷筒的外半径；将所述第一缺陷距离、所述极片的厚度及所述卷筒的外半径代入指定公式中，通过计算和转换确定缺陷位置。本发明提供的缺陷定位方法、装置及存储介质能够解决CCD设备漏打标的问题，使得能够较精准计算缺陷位置，进行手动补标，其操作方法简单、实用性强。
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“缺陷定位方法、装置及存储介质” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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编辑：管理员
来源：北方有色网
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