本发明涉及一种中空六元环状羟基氧化
钴纳米材料及其制备方法，属于无机材料领域。该中空六元环状羟基
氧化钴的六条边的长度均为50‑150nm，纵向厚度为10‑20nm，壁厚为20‑30nm，其制备方法具体过程如下：(1)将钴盐水溶液和强碱水溶液并流滴入三口烧瓶中，在惰性气氛及搅拌条件下反应一定时间；(2)撤掉保护气，加入一定量的强氧化剂，继续陈化；(3)陈化结束后所得悬浊液经过滤、洗涤、干燥，得到一种中空六元环状羟基氧化钴纳米材料。本发明具有工艺流程简单、反应条件温和，易大规模制备等优点，所得产品粒度分布窄、形貌可控、重现性好，有望在超级电容器、
锂离子电池及催化等领域得到应用。
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“中空六元环状羟基氧化钴纳米材料及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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