本发明公开了一种集成MOSFET及二极管的半导体装置，包括基底，基底的上端设置有漂移层，漂移层的上端设置有支撑层，支撑层的上端设置有导电部，导电部的右侧设置有连通部，连通部的右侧设置有出电部。本发明通过通过两个接触层传导电压，即使当其中一个接触层长期使用后失效，也可以通过另一个接触层进行电压传导，导电陶瓷材质的陶瓷导电板在起到了导电效果的同时，保证了较好的结构刚性，当通过较强的电压时，不会被高电压击穿，起到了保护效果，圆板内部的
镍锰酸
锂是一种高抗压材料，当通过高电压的时候，不会将第一导电管和第二导电管损坏，延长了第一导电管与第二导电管的使用寿命。
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来源：北方有色网
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