本发明提供了一种晶体材料及其制造方法，该材 料能大量荷载摩尔比大于3的客体，并显示吉布斯自 由能函数与客体浓度无关。该晶体材料属MeyChx 类，其中Me选自Bi和Sb，Ch选自Te、Se和S，Y 为1或2，Z在1至3的范围内，故此该材料的缺陷 密度低得足以允许在范德瓦耳斯沟槽内，每摩尔所述 材料至少层夹3摩尔
锂，而并无明显晶格畸变。本发 明可提供一种客体荷载高达10摩尔/摩尔主体的 层夹材料。
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来源：北方有色网
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