本发明公开了一种一维MoS2纳米管材料及其制备方法，包括以MoO3，S粉为初级材料，采用Te辅助化学气相沉积法生长MoS2纳米管材料，所述的单根MoS2纳米管直径为80～200nm，通过Te辅助化学气相沉积法在SiO2/Si衬底表面生长高质量单晶MoS2纳米管，Te辅助化学气相沉积过程中采用Te粉作为催化剂，无需再采用模板和特定前驱体结构设计，工艺简单，产率高，且成本低廉，适合批量生产；在SiO2/Si衬底上直接生长MoS2纳米管，所制备的
纳米材料形态均一、结构性能稳定，可以作为场效应晶体管沟道材料、光催化、电催化、
太阳能电池、柔性传感器，场发射和
锂离子电池
负极材料。
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来源：北方有色网
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