本发明公开了一种A位离子掺杂的钛酸铋钠基无
铅压电陶瓷及其制备方法，该钛酸铋钠基无铅压电陶瓷的化学式为：0.852{Bi
0.5[Na
(1‑x)Li
x]
0.5}TiO
3‑0.110(Bi
0.5K
0.5)TiO
3‑0.038BaTiO
3，记为BNKBT‑xLi，其中，0.12≤x≤0.13。其制备方法包括如下步骤：按化学式分别配取碳酸钠、碳酸钾、三氧化二铋、二氧化钛，
碳酸锂，碳酸钡，球磨、烘干后再将混合原料于800～900℃预合成，再进行造粒、成型、排胶后于1100～1140℃烧结，制得高性能A位离子掺杂改性的铌酸钾钠基无铅压电陶瓷。本发明既优化了烧结温度、减少了碱金属的挥发，又提高了应变性能，最大应变S为0.42％，逆压电系数d
33*最大为760pm/V，饱和极化强度Ps为34～38μC/cm
2。
声明：
“A位离子掺杂的钛酸铋钠基无铅压电陶瓷制备方法及产品” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1072
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
