本发明公开了一种量子点发光二极管及其制备方法，所述量子点发光二极管包括设置在阴极和阳极之间的量子点发光层，以及设置在所述阳极和量子点发光层之间的空穴传输层，所述空穴传输层与所述量子点发光层之间设置有界面层，所述界面层材料为反
钙钛矿化合物，所述反钙钛矿化合物的结构通式为AB2X3，其中，A为F、Cl、Br或I中的一种，B为氧原子，X为
锂原子；所述界面层的HOMO能级大于所述空穴传输层的HOMO能级且小于所述量子点发光层的HOMO能级。本发明中，所述界面层可有效降低空穴注入势垒，提高空穴注入速率，同时有效防止电子发生隧穿与空穴在非量子点发光区复合，从而提高器件的发光效率。
声明：
“量子点发光二极管及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
733
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
