本发明公开了一种
铜掺杂氧化
钴多孔纳米片
复合材料的制备方法，其具体步骤为：将钴盐和铜盐按照钴/铜摩尔比0～5/1溶解于适量体积水中制备盐溶液(0.01～1.0摩尔/升)，二甲基咪唑溶解于等量体积水中形成配体溶液(0.1～5.0摩尔/升)。将配体溶液与盐溶液快速混合并搅拌均匀。将生长基体浸入到混合溶液中，室温下静置反应12～48小时。将基体取出后依次用水、乙醇清洗干净，干燥。将基体在惰性气氛下以1～5摄氏度/分钟的升温速率升至350～800摄氏度，热处理1～6小时，冷却到室温后得到在基体上生长的铜掺杂
氧化钴多孔纳米片复合材料。用该方法制备的复合材料可用作
锂离子电池
负极材料及
锌离子电池
正极材料。
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“铜掺杂氧化钴多孔纳米片复合材料及储能应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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