本发明公开了一种暴露{111}晶面Cu2Se/Cu2O超晶格亚微米线的制备方法，该方法是采用简单的水热法，以乙醇胺与蒸馏水的混合液为溶剂，将Se粉和KBH4、处理好的
铜片水热反应后在惰性气体保护下煅烧，即可在铜片表面制备成暴露{111}晶面Cu2Se/Cu2O超晶格亚微米线，其直径为0.23～2.14μm、长度17～420μm。本发明操作简单，成本低，重复性和一致性好，所制备的暴露{111}晶面立方结构Cu2Se/Cu2O超晶格亚微米线可望在光催化、
太阳能电池、超离子导体、
锂离子电池和超级电容器等应用中体现增强的光电性能。
声明：
“暴露{111}晶面Cu2Se/Cu2O超晶格亚微米线的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
648
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
