本发明公开了一种氮掺杂碳层包覆的氧化
钴纳米片及其制备方法与
储能应用，是首先通过溶剂热合成
氧化钴纳米片前驱体，然后在氧化钴纳米片前驱体表面附载同时作为氮源和碳源的聚乙烯吡咯烷酮包覆层，最后在氩气氛围保护下进行高温煅烧，充分利用聚乙烯吡咯烷酮的原位碳化和分解，即可获得氮掺杂碳层包覆的氧化钴纳米片。本发明的材料制备方法简单、成本低、过程易于控制，可以批量化生产；且本发明所制备的氮掺杂碳层包覆的氧化钴纳米片作为
锂离子电池
负极材料时，具有优异的比容量和倍率性能。
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“氮掺杂碳层包覆的氧化钴纳米片及其制备方法与储能应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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