本发明公开了一种Al-Sn薄膜负极及其制备方法，包括如下步骤：a、在黄
铜基片上沉积
铝膜；b、将a步骤中得到的样品作为衬底，以PMMA为电子束抗蚀剂，在衬底上制备孔洞阵列微结构；c、以PMMA为保护层，将b步骤得到的样品进行刻蚀处理，在铝膜上得到孔洞阵列微结构；d、以c步骤中得到的具有微观结构的衬底作为基片，以纯Sn作为靶材，沉积纯Sn；e、用热丙酮去除抗蚀剂PMMA，从而得到Al-Sn薄膜负极。该方法具有可设计性、可控制性、灵活性较高等优点，对Al-Sn的分布进行人为地控制和设计既可以缓充
锂离子电池充放电反应过程中的体积膨胀效应，又可以对体积结构变化进行定量的分析。
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来源：北方有色网
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