本发明提出了一种低温制备纳米
碳化硅的方法，该方法采用“双限域”过程，首先通过热解二氧化硅/聚合物的复合物制备二氧化硅/碳的复合物，然后将得到的复合物与
金属镁或钙机械混合，在密闭的反应器内热处理，最后，用盐酸和氢氟酸依次清洗可得到纳米结构SiC。在这一合成路线中二氧化硅/碳复合物中的碳骨架提供第一限域效应，限制纳米SiC的长大，而密闭反应器提供第二限域效应，降低碳热还原的温度。该方法制备的纳米碳化硅具有大的比表面积和丰富的孔隙，可以作为载体负载金属银催化剂，以及用于
锂离子电池
负极材料。本发明提供的纳米碳化硅制备方法，工艺过程简单、便于实现规模化生产。
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“低温制备纳米碳化硅的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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