本发明涉及的是一种富含氧空位的黑色介孔SnO
2纳米片及其制备方法，具体包括如下步骤：(1)采用化学气相沉积工艺制备SnS
2纳米片前躯体；(2)将SnS
2纳米片前躯体置于气氛炉内，在氧化性气氛下煅烧获得普通白色介孔SnO
2纳米片；(3)将白色介孔SnO
2纳米片置于气氛炉中，在氩气和氢气混合气氛中退火以获得富含氧空位的黑色介孔SnO
2纳米片。本发明优势在于其制备工艺简单、成本低、无污染，最终获得的样品是具有介孔结构的纳米片，其比表面积大、电学性能优异，并对可见光有明显吸收作用。本发明所得样品可广泛用于气敏、催化、
太阳能电池、
锂离子电池等领域。
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“富含氧空位的黑色介孔SnO2纳米片及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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