一种封装结构的制造方法，包括：提供器件晶圆和晶圆级覆盖基板，器件晶圆和晶圆级覆盖基板通过位于两者之间的键合层相结合，器件晶圆包括多个半导体
芯片，半导体芯片包括有源区和输入/输出电极区，半导体芯片、键合层以及晶圆级覆盖基板在有源区位置处围成空腔，输入/输出电极位于空腔外侧，晶圆级覆盖基板的材料为铌酸
锂或钽酸锂；利用软刀对相邻半导体芯片之间的晶圆级覆盖基板进行切割处理，形成与半导体芯片一一对应的芯片级覆盖基板，芯片级覆盖基板侧壁与芯片级覆盖基板背向器件晶圆的表面的夹角呈钝角；形成互连层，保形覆盖输入/输出电极表面、键合层和芯片级覆盖基板的侧壁和芯片级覆盖基板的部分顶面。本发明提高了封装结构的良率。
声明：
“封装结构的制造方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
811
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
