本发明涉及一种非极性氮化镓(GaN)薄膜的生长方法，其利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)系统在
铝酸
锂(LiAlO2)衬底上合成生长GaN薄膜，其中，在生长GaN薄膜之前，首先在铝酸锂衬底背面背镀二氧化硅(SiO2)或氮化硅(Si3N4)，一方面起应力平衡的作用，另一方面可以阻止衬底的分解，如Li的挥发等。
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来源：北方有色网
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