本发明公开了一种无基底五氧化二铌纳米片阵列
负极材料的制备方法，将可溶性铌盐溶于去离子水与高分子醇的混合溶剂中，混合均匀，再加入含钠离子和/或钾离子的金属碱溶液或盐溶液得到混合溶液，将上述混合溶液密封后，进行搅拌，将搅拌后的混合溶液进行水热反应，反应完成后，自然冷却至室温；将反应完全的溶液离心处理，得到无基底五氧化二铌纳米片阵列负极材料；本发明通过改变
锂离子的扩散距离，解决了现有锂离子在五氧化二铌晶体中扩散缓慢的问题，提升五氧化二铌作为负极材料的
电化学性能；本发明的无基底五氧化二铌纳米片阵列负极材料具有结构稳定，循环性能好，倍率性能优异等特性，且制备方法工艺简单、操作容易、成本较低。
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“无基底五氧化二铌纳米片阵列负极材料及其制备方法和应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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