本发明关于一种单晶硅的成长方法及提拉装置,该单晶硅的成长方法根据切克劳斯基法,将单晶从已在石英坩埚内熔融的硅原料的熔融液提拉而使其成长,其特征在于:以上述石英坩埚的外壁侧为正极,并以电极侧为负极的方式,施加直流电压,一边使电流从上述电极流过一边根据上述提拉轴来使单晶硅成长;并且,该电极是与用以提拉上述单晶的提拉轴分开设置,且被浸渍于上述硅原料的熔融液中。由此,在单晶硅的成长过程中,通过使适当的结晶化层即失透发生在石英坩埚的内壁表面,同时防止
锂等的碱金属混入单晶硅中,能提高单晶产率与生产性,并且在切片成
芯片后的热氧化处理中,能抑制氧化膜的异常成长。
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来源：北方有色网
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