本发明公开了一种单晶单畴压电薄膜及其制备方法，单晶单畴压电薄膜依次包括单晶薄膜层、二氧化硅层、介质层和单晶硅层；其中单晶薄膜层的材料为单晶铌酸
锂或单晶钽酸锂；介质层为单晶硅的损伤层、非晶硅或
多晶硅；本发明的单晶单畴压电薄膜的压电系数为体材料的98%~100%，而采用现有技术的压电系数为体材料的10~90%，单畴单晶薄膜在使用时压电性能稳定，机电耦合系数不会下降，器件带宽宽、损耗低，一致性好；本发明的制备方法成本低、能耗低、效率高，适用于工业生产，成品率高；所得薄膜中数十纳米的二氧化硅层都可以达到厚度可控、厚度偏差小、表面平整、均匀性好的效果，因而所得器件具有较好的一致性。
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来源：北方有色网
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