本发明提供一种rGO膜/GaN纳米线复合电极及其制备方法，其中制备方法包括：以沉积有
镍盐催化剂的还原氧化
石墨烯膜为衬底，通过化学气相沉积法生长GaN纳米线，得到rGO膜/GaN纳米线复合电极。依据上述制备方法，由于采用rGO膜导电衬底，进一步增强了
电解液的浸润性和电子/
锂离子的传输特性，使得rGO膜/GaN纳米线复合电极的倍率特性大幅度提高；采用化学气相沉积法生长GaN纳米线，充分发挥GaN纳米线较大的比表面积，暴露出丰富的活性位点，能够实现电解液的充分接触以及充放电反应中锂离子和电子的快速转移的优点。
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来源：北方有色网
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