本发明公开了半导体级二甲基镉的制备方法，在惰性气氛保护下，在反应器中加入无水二氯化镉和醚类溶剂，无水二氯化镉和醚类溶剂的摩尔比为1:3.5～5；低温条件下，向体系中缓慢滴加甲基
锂正丁醚溶液，反应出二甲基镉；反应结束后进行常压蒸馏及精馏，得到高纯二甲基镉；高纯二甲基镉再经过滤器加压过滤得到半导体级的二甲基镉。通过一步法合成二甲基镉，二氯化镉和溶剂加入到反应瓶中，在低温下滴加甲基锂正丁醚溶液，通过精馏提纯二甲基镉，由过滤器去除颗粒，得到高纯半导体级二甲基镉，反应过程中不需要再分批加入任何原料，简化了工艺操作步骤，大大提高了反应过程中的安全性。
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来源：北方有色网
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