本发明涉及一种多孔
碳化硅陶瓷及其制备方法和应用。该多孔碳化硅陶瓷的制备方法包括如下步骤：称取原料，按照质量百分含量计，所述原料包括如下组分：80％～95％的碳化硅、2％～15％的助烧剂和1％～15％的添加剂，其中，添加剂选自钛酸
铝、
锂辉石及锂霞石中的至少一种；将原料混合形成混合料；将混合料成型形成生坯，再将生坯在1300℃～1550℃下烧结，得到多孔碳化硅陶瓷。上述多孔碳化硅陶瓷的制备方法制备到的多孔碳化硅陶瓷兼具较高的气孔率高和较低的热膨胀系数。
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“多孔碳化硅陶瓷及其制备方法和应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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