本发明涉及一种ZrC/SiC/C复相陶瓷前驱体材料及其制备方法，所述前驱体在温度1600℃热解转化为复相陶瓷，所述复相陶瓷中的锆含量不低于50wt％，硅含量不低于10wt％。所述前驱体的制备方法则是将聚硅乙炔，二氯二茂锆和正丁基
锂在无水无氧条件下的一锅法反应合成的，其中，二氯二茂锆作为锆源，聚硅乙炔作为硅源，在较低的温度下加入正丁基锂进行进一步反应制备而成。本发明制备的聚合物前驱体有望用作陶瓷基
复合材料及碳/碳复合材料的浸渍基体，以提高其超高温抗氧化性能。
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“ZrC/SiC/C复相陶瓷前驱体材料及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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