本发明公开的Li掺杂生长p型ZnO晶体薄膜的 方法采用的是磁控溅射法，将衬底清洗后放入直流反应磁控溅 射装置反应室中，反应室抽真空，以
锌锂合金为靶材，以 O2和Ar作为溅射气氛，在3～ 5Pa压强下，于400～600℃下进行溅射生长，生长结束后薄膜 在Ar气氛下退火。本发明方法简单，p型掺杂浓度可以通过调 节靶材中Li的含量和生长气氛中 O2∶Ar的不同分压比来控制； 在ZnO晶体薄膜生长过程中可以实现受主Li的实时掺杂；由 于掺杂元素来自靶材，因此可以实现高浓度掺杂；本发明与V 族元素掺杂相比，以金属Li离子替代掺杂具有更浅的受主能 级，制得的p－ZnO薄膜具有良好的电学性能，重复性和稳定 性。
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来源：北方有色网
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