本发明公开了一种基于表层和体相硅掺杂的三元
正极材料的制备方法，包括：将硅源溶于溶剂中，再将
镍钴锰氢氧化物粉末溶解于其中搅拌均匀，然后蒸干溶剂，真空干燥，得前驱体；将前驱体与氢氧化
锂倒入高混机中混合，混合后进行煅烧，得硅掺杂的三元正极材料；本发明还公开一种基于表层和体相硅掺杂的三元正极材料。本发明中通过镍钴锰氢氧化物粉末与硅源进行液相混合，并通过高温煅烧使硅掺杂进入体相晶格内部，以SiO44–的形式占据四面体位点，较强的Si‑O键键能可以稳定体相中的晶格氧，维持材料的层状结构，提升循环稳定性；同时，SiO44–具有较大的热化学半径，可以拓宽锂离子传输通道，提升材料的倍率性能，并降低了成本。
声明：
“基于表层和体相硅掺杂的三元正极材料及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1129
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
