本发明公开了一种富有硫空位缺陷的VS2‑x材料的制备方法，采用水热和煅烧法合成，利用水热过程中添加CTAB构造缺陷，通过调控CTAB的量调控缺陷多少，获得富有硫空位的微米花状VS2‑x材料，工艺简单、成熟，结果稳定；本发明制备的富有硫空位缺陷的VS2‑x材料作为
锂离子电池
正极材料，在0.1A/g电流密度下容量为140mAh/g，表现出高容量的储锂性能，同时具有高赝电容的储锂机制。
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“富有硫空位缺陷的VS2-x材料及其制备方法和应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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