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利用熔盐法生长氮化镓单晶的方法

1131   编辑:管理员   来源:北方有色网  
2023-03-18 23:14:35
本发明涉及利用熔盐法生长氮化镓单晶的方法。本发明通过选择对氮化镓有一定溶解度的助熔剂,即单质或含锂化合物,与原料按一定比例混合,即可在较低温度(680—900℃)及常压(0.5—10个大气压)下按常规方法(如缓慢降温法)进行GaN单晶的生长。本发明设备简单、原料价廉,成本低,可进行大规模生产。
声明:
“利用熔盐法生长氮化镓单晶的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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