本发明公开的Li-F共掺杂生长p型ZnO晶体薄膜的方法,采用的是脉冲激光沉积法。靶材是由纯氧化
锌、纯氟化锌和纯
碳酸锂粉末球磨混合后压制成型,烧结后得到掺ZnF2和Li2O的ZnO陶瓷靶,其中氟化锌的摩尔含量为0.3%,氧化锂的摩尔含量为0.6～0.9%;然后在脉冲激光沉积装置的生长室中,以纯O2为生长气氛,控制O2压强5～20Pa,激光频率为3～5Hz,生长温度为300～500℃,在衬底上生长p型ZnO晶体薄膜。本发明方法可以实现实时掺杂,掺杂浓度通过调节生长温度和靶材中Li和F的摩尔含量来控制。采用本发明方法制备的p型ZnO晶体薄膜具有良好的电学性能,重复性和稳定性。
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来源：北方有色网
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