本发明公开的Li-F共掺杂生长p型ZnO晶体薄膜的方法,采用的是脉冲激光沉积法。靶材是由纯氧化
锌、纯氟化锌和纯
碳酸锂粉末球磨混合后压制成型,烧结后得到掺ZnF2和Li2O的ZnO陶瓷靶,其中氟化锌的摩尔含量为0.3%,氧化锂的摩尔含量为0.6～0.9%;然后在脉冲激光沉积装置的生长室中,以纯O2为生长气氛,控制O2压强5～20Pa,激光频率为3～5Hz,生长温度为300～500℃,在衬底上生长p型ZnO晶体薄膜。本发明方法可以实现实时掺杂,掺杂浓度通过调节生长温度和靶材中Li和F的摩尔含量来控制。采用本发明方法制备的p型ZnO晶体薄膜具有良好的电学性能,重复性和稳定性。
声明：
“Li-F共掺杂生长p型ZnO晶体薄膜的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1109
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
