本发明公开了一种基于铌酸
锂电压调控的拓扑边界态及谐频产生的装置。将铌酸锂按照特定的间隔周期在自由空间中进行有序排列。通过在铌酸锂左右两侧分别加正、负电压，利用电光调制效应，可以使铌酸锂材料的折射率发生改变。与之前研究不同的是，非线性光学效应的增强是由于拓扑结构在边界具有强的局域场。另外，此结构产生的拓扑边界态成等差数列均匀分布，这就意味着当基频光处于其中一个边界模式时，谐频光也处于拓扑边界态的模式，这便使得所有产生的谐频光对结构中的杂质或缺陷免疫并且没有背向散射，结构受拓扑保护。这种基于拓扑保护态的非线性光学效应，为高次谐波产生和其他非线性光学效应的生成提供了一种新的途径。
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“基于电压调节的拓扑边界态调控及谐频产生的装置” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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