本发明公开了一种1T相单层二硫化钼纳米片的制备方法，具体步骤为：将硫代钼酸铵和
锂盐化合物按1 : 2摩尔比混合研磨，研磨后的混合物在惰性气体保护下于800?1200℃保温1?10h，冷却至室温得到插锂的1T相硫化钼块体；将插锂的1T相硫化钼块体置于去离子水中，辅助超声水解剥离5?30min，再将得到的悬浮液置于离心机中，经离心分离去除未剥离的沉淀物后得到1T相单层MoS2纳米片悬浮液；将1T相单层MoS2纳米片悬浮液在离心机上分别用水和乙醇离心洗涤去除可溶性杂质，最后将沉淀物1T相单层MoS2纳米片分散于小分子溶剂中保存，该1T相单层MoS2纳米片的厚度小于1nm。本发明工艺操作简单，反应条件温和，所用试剂价格低廉，绿色环保。
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来源：北方有色网
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