本发明涉及片上集成光子学技术领域，更具体地，涉及一种高效率片上声光偏转器及其制备方法。包括设置在氧化硅基片上的铌酸
锂‑氮化硅异质结构，铌酸锂‑氮化硅异质结构包括铌酸锂薄膜以及氮化硅形成的多模式耦合器结构。所述铌酸锂薄膜上设置可激发声波的叉指换能器。本发明中利用到了铌酸锂的压电特性和声致光栅衍射效应，集成叉指换能器和光子波导中的多模式耦合器原理，光子经过声波形成的周期性结构产生布拉格衍射最终实现偏转。上述声光偏转器减小了片上声光偏转器的尺寸，增强了声子和光子的相互作用，提高了效率，所用到的铌酸锂和氮化硅材料性质稳定，易于加工，并可实现片上大规模集成。
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来源：北方有色网
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